MOS管是场效应管,IGBT是复合管前管是场效应管,后管是NPN关,可控硅是二极管类,MOS管高阻输入,IGBT是高频大功率输出,可控硅可作交、直流开关,MOS管,IGBT只用...
可控硅了解不多,它只能是导通和截止,不像mos和igbt会有放大状态。价格应该可控硅最贵,igbt次之,mosfet最便宜。
IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些,特别是off time. 但是,它容易做到高电压,大电流。所以,像动车组,电动汽车等都用它(反相击穿电压几千...
可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管...
IGBT单管和MOS管的区别:1、从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT...
IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关,开通和关断可控制;可控硅需要电流脉冲驱动开通,一旦开通,通过门极无法关断,需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以...
IGBT焊机代表了当今逆变焊机的发展方向,与硅整流焊机相比具有重量轻,焊接效果好,省电(约30%),对电网干扰小等特点。
1、大功率整流用可控硅。2、IGBT与可控硅相比各有优点,前者是可控制开-关元件,后者大多数是只能控制开,不能控制关(现在有可关断可控硅了)。受元件制造工艺和...
可控硅能承受的功率最大,mosfet是三者中工作频率最高的,理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右,但只适用于10KW以下的电力电...
当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易,但是不能自行关断;IGBT常用于大功率设备,需要专门的驱动,所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。
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